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專利名稱
太陽能電池之多晶矽質薄膜的製造方法
專利證號
I481042
專利國別
中華民國
專利類型
發明
公告日
2015/04/11
發明人代表
楊茹媛、葉昌鑫
專利技術摘要
本發明提供一種太陽能電池之多晶矽質薄膜的製造方法。在第一階段,先利用奈米厚度鋁金屬薄膜誘發非晶矽質薄膜,使其在較低製程溫度下達到高品質多晶矽質薄膜。在第二階段,利用第一階段誘發生成的多晶矽質薄膜作為晶種層,使其誘發出更厚之非晶矽質薄膜成為多晶矽質薄膜,因此可有效地降低製程所需之熱預算。
可應用範圍
(產業利用性)
照片/圖示
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