專利名稱
半導體之錫銀接合結構及其製造方法
專利證號
I648151
專利國別
中華民國
發明人代表
盧威華、陳勇全
專利技術摘要
本發明揭露一種半導體之錫銀接合結構及其製造方法,該半導體之錫銀接合結構具有一導接銅層、一錫鍍層及一銀鍍層,該導接銅層與一含錫鍍液接觸以進行一第一化學鍍反應,使該錫鍍層直接形成於該導接銅層表面,該錫鍍層與一含銀鍍液接觸以進行一第二化學鍍反應,使該銀鍍層直接形成於該錫鍍層表面,其中該銀鍍層用以抑制該錫鍍層表面形成錫鬚。
可應用範圍
(產業利用性)
本發明關於一種半導體之錫銀接合結構及其製造方法,特別是一種可抑制錫鬚形成及簡化製程的半導體之錫銀接合結構及其製造方法。