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專利名稱
簡化電極設計之太陽能電池及其製造方法
專利證號
I436493
專利國別
中華民國
專利類型
發明
公告日
2014/05/01
發明人代表
楊茹媛、葉昌鑫
專利技術摘要
本發明提供一種簡化電極設計之太陽能電池及其製造方法,該結構主要包含一基板;一多晶質P型半導體層;一本質型(i型)半導體層;一N型半導體層以及一電極。其中,該多晶質P型半導體層係以鋁金屬誘發的方式形成。該簡化電極設計之太陽能電池可在較低之製程溫度下達到不同厚度與大面積之多晶質薄膜,因此可有效提高該太陽能電池之光電轉換效率。
可應用範圍
(產業利用性)
照片/圖示
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